第三代半导体SiC芯片及功率模块智能产业化项目 [监管审批]

项目概况

第三代半导体SiC芯片及功率模块智能产业化项目 属电子行业,项目代码 2017-350200-39-03-101037,立项类型为备案,建设性质为改建,所属地区为福建省-厦门市。项目总投资48161.72万,预计2017-01开工,2018-10竣工,建设规模及内容包括建筑面积:29778.63平方米,用地面积:12538平方米, 其他:项目一期在海沧区新乐东路9号1#2#楼,建设约3万平方现代化洁净工厂,计划年生产芯片1100万片,汽车模块55万片。建设内容:建设一条应运于新能源汽车的高功率碳化硅MOSFET,FRD,SBD,JBS等分立器件、高功率模块的生产线。。该项目于2023-09-19经审批注册后免费查看项目建设地点及业主信息。

项目信息

所属行业电子
项目代码2017-350200-39-03-101037
立项类型备案
所属地区福建省-厦门市
建设地点
项目总投资(万)48161.72
建设性质改建
计划开工时间2017-01
计划竣工时间2018-10
主要建设规模/内容建筑面积:29778.63平方米,用地面积:12538平方米, 其他:项目一期在海沧区新乐东路9号1#2#楼,建设约3万平方现代化洁净工厂,计划年生产芯片1100万片,汽车模块55万片。建设内容:建设一条应运于新能源汽车的高功率碳化硅MOSFET,FRD,SBD,JBS等分立器件、高功率模块的生产线。

业主信息

业主单位

相关办理结果

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