高压碳化硅功率半导体器件芯片研制 [监管审批]

高压碳化硅功率半导体器件芯片研制 属制造业-计算机、通信和其他电子设备制造业-电子器件制造-半导体分立器件制造行业，项目代码 2609-610161-04-02-489240，立项类型为备案，建设性质为技改及其他，所属地区为陕西省-西安市。项目总投资5000万，预计202609开工， 注册后免费查询竣工，建设规模及内容包括本项目开展高压SiC MOSFET和配套高压SiC JBS二极管芯片的研究开发与产业化。项目拟购置配套研发测试设备10余台（套），主要包括图示仪、探针台、红外热成像仪、超声扫描设备等，用于功率半导体器件研发项目技改，项目达产后预计年产值不低于5000万元。（该备案为告知性备案，涉及有关行业管理部门职责的，以行业管理部门意见为准)。该项目于2026-09-04经西安高新区行政审批服务局审批批复。注册后免费查看项目建设地点及业主信息。