项目拟建设内容和布局重点包括:(1)设备投资1500万元,建设功能完整的半导体外延材料生长系统.净化车间投资1500万元,建设功能齐全满足工艺要求的生产环境.(2)外延材料异质结构质量控制在原子级精度.采用分子束外延材料生长 系统,生长高质量第四代inas/gasb二类超晶格红外探测器外延材料.(3)打破国际技术封锁,生产第四代半导体红外焦平面探测芯片等.(4)为国家重要部门、工业部门、重要企业、高校和研究所等进行半导体 器件和芯片代工.
项目总投资: 3000万元
工程备注: 工程开始日期(主体开工): 2022年第2季度. 工程结束日期(交付使用):2023年第1季度.
截至2022年3月上旬,该项目正处于立项审批阶段,设计单位未确定和室内装修单位未定