此项目为对建筑面积----的厂房进行设备安装;
厂房用于生产第三代半导体材料氮化镓单晶衬底;
主要设备包括:氢化物气相沉积生长设备、功能晶体生长设备、清洗机、研磨抛光机、晶片研磨机、精密研磨抛光机等;工艺流程:蓝宝石衬底片清洁→氮化(用蓝宝石sapphire衬底片)→氮化镓生长→卸载→激光玻璃→磨边→研磨→抛光→清洗→成品包装;项目建成后可达到,年产4英寸氮化镓gan单晶衬底18350片
工程备注: 工程开始日期(主体开工): 2022年第1季度. 工程结束日期(交付使用):2023年第1季度.
截至2022年3月上旬, 该项目处于主设备安装已开始阶段, 完成日期暂未定.