此项目总建筑面积为----,建设内容包括:
包含生产车间、生产大楼(办公)等;建筑最高层为4层建筑;
项目拟购置硬件设备21套,包含mocvscrubber等设备,拟建设一条砷化镓(gaas)和磷化铟(inp)化合物半导体外延片产线,用于化合物半导体外延片研发及生产,同时建设产品开发实验线、芯片验证线、危化品仓库、废水处理站等生产辅助设施,并配套建设生活办公、供电、给排水、供暖等公用工程等.项目建成后,年产量达到9.7万片.
工程备注: 工程开始日期(主体开工): 2022年第2季度. 工程结束日期(交付使用):2023年第2季度.
截止(2022-6-9)该项目设计单位已经确定,现已完成施工图设计;施工单位已经确定,目前由于环评手续,暂未进场施工,甲方表示6月底之前进场施工;