凌越光电化合物激光芯片生产基地新建项目(重庆凌越光电科技有限公司)
大型

项目地址：

定位

项目概况

更新时间： 2022-12-30（发布：2022-06-21）

项目阶段： 2022-12-30处于施工图设计单位确定

建设周期： 2022年3季度 - 2024年2季度

项目类型：工业

面积：

投资金额： 57000万

建设性质：新建

甲方类型：外资、合资企业

项目描述

此项目为建筑面积为----,新建厂房此项目公司总部位于重庆两江新区,正在兴建3万㎡从外延生长、晶圆工艺至器件封测全流程设计制造能力的先进光芯片基地,预计2023年下半年投入使用.并与芬兰拥有超过20年成熟芯片量产经验的modulight公司紧密合作,在欧洲设有从外延设计生长至最终解理封装的全产业工序的研发生产中心. 凌越光电具备从0.6到1.7 μm的全波段各类激光芯片开发能力,产品包括高速 1310 nm eml和dfb激光芯片,大功率632 nm、905 nm、1550 nm 直流和脉冲激光芯片等,性能已达国际领先水平

项目工期及阶段

工程备注：