此项目总建筑面积约----,共包含4个子项:1号建筑为3层(局部4层)丙类生产车间2号建筑为2层动力中心3号建筑为单层甲类化学品库 4号建筑为单层门卫各子项主体结构均为钢筋混凝土框架结构.建筑主体最大跨度约9米,连廊处钢桁架跨度约24米,厂区最大高度约为22米.此项目是高新区围绕集成电路细分领域引进的强链补链项目,通过整合成都本地优质产业链资源,有助于加快构建竞争优势突出的现代产业体系.项目将建设2条晶圆背面加工封装产线,建成投产后,将为森未科技在内的功率半导体设计企业提供igbt特色授权委托加工服务,包括igbt芯片、模组及方案组件产品等.项目分两期建设,建成后将达到年产各类功率半导体器件和功率组件共260.5万只(套)的生产能力,实现年营收9亿元、年税收7000万元
工程备注: 截至(2023年10月7日)该项目已完工,正在办理竣工手续