先进化合物半导体光电子芯片及器件生产研发综合项目(苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司)

大型

项目占地面积20666----米，主要建设内容包括：首要建设生产车间，其次建设研发中心，再次建设动力站，并配套相关设施。项目建成后，将形成年产1亿颗芯片、500万件器件的生产能力。