碳化硅高压功率模块关键技术研发项目(北京国联万众半导体科技有限公司) 大型优质
项目地址： 
定位
定位 项目概况
更新时间： 2023-04-02（发布：2023-04-01）
项目阶段： 2023-04-02处于立项
建设周期： 2023年3季度 - 2028年1季度
项目类型：工业
面积：
投资金额： 31302万
建设性质： 新建
甲方类型： 私营企业
项目描述
此项目为对总用地面积为----的厂房进行设备安装工程总投资:3.1302亿元国联万众碳化硅高压功率模块关键技术研发项目,为第三代半导体材料及应用联合创新基地扩建项目,主要研发 3300vmosfet 芯片及3300v 高压功率模块封装技术,预计将于2023年1月开工,建设周期为五年
项目工期及阶段
工程备注： 工程开始日期:2023年第三季度,工程结束日期:2028年第一季度截至2023年3月23日该项目预计5.6月份开始公开招标设计单位
项目动态 0
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