碳化硅高压功率模块关键技术研发项目(北京国联万众半导体科技有限公司)

大型优质

此项目为总用地面积3000----米的厂房设备安装工程，项目总投资31302万元。项目名称为国联万众碳化硅高压功率模块关键技术研发项目，属于第三代半导体材料及应用联合创新基地扩建项目。主要建设内容为：研发3300V MOSFET芯片，开展3300V高压功率模块封装技术研发。