碳化硅高压功率模块关键技术研发项目(北京国联万众半导体科技有限公司)

大型

此项目为厂房设备安装工程，厂房总用地面积3000----米。同时，该项目为“国联万众碳化硅高压功率模块关键技术研发项目”，属于第三代半导体材料及应用联合创新基地扩建项目范畴，主要建设内容（按主次顺序）为：研发3300V MOSFET芯片技术、3300V高压功率模块封装技术。