碳化硅高压功率模块关键技术研发项目(北京国联万众半导体科技有限公司) 大型优质
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定位
定位 项目概况
更新时间： 2024-08-09（发布：2023-04-01）
项目阶段： 2024-08-09处于项目立项已完成
建设周期： 2024年4季度 - 2029年4季度
项目类型：工业
面积：
投资金额： 31302万
建设性质： 新建
甲方类型： 私营企业
项目描述
此项目为对总用地面积为----的厂房进行设备安装工程总投资:3.1302亿元国联万众碳化硅高压功率模块关键技术研发项目,为第三代半导体材料及应用联合创新基地扩建项目,主要研发3300vmosfet芯片及3300v高压功率模块封装技术,预计将于2023年1月开工,建设周期为五年
项目工期及阶段
工程备注： 该项目设计施工单位暂未定，预计10月开工，工期5年
项目动态 1
2024-08-09
新增:业主
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