年产36万片SiCMOSFET晶圆,长飞先进武汉基地(武汉长飞第三代半导体功率器件生产项目)(长飞先进半导体(武汉)有限公司) 大型
项目地址： 
定位
定位 项目概况
更新时间： 2024-09-04（发布：2023-07-05）
项目阶段： 2024-09-04处于室内设计完成
建设周期： 2023年4季度 - 2024年4季度
项目类型：工业
面积：
投资金额： 1000000万
建设性质： 新建
甲方类型： 外资、合资企业
项目描述
项目方面,长飞先进位于"武汉�中国光谷"的第二制造基地建设正式启动,项目一期投资规模超60亿元,可年产36万片sicmosfet晶圆,包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等,预计2025年建设完成,届时将成为国内最大的sic功率半导体制造基地,公司产能规模将居行业绝对领先地位.目前,项目的各项准备工作已经就绪,蓄势待发,公司将按照"高起点规划、高水平设计、高标准建设"的原则,建设一座全智能化的世界级晶圆制造工厂
项目工期及阶段
工程备注： 截至（2024-8-26）主体完成,装修单位已确定,目前还尚未进场,
项目动态 4
2024-07-09
新增:机电
2024-05-26
新增:主体
2024-05-22
新增:主体
甲方单位联系人
4 位联系人
设计院联系人
4 位联系人
施工图设计
职位： 电气设计师
备注：参与设计
部门： 设计部
职位： 结构设计师
部门： 设计部
职位： 工艺设计师
备注：技术总负责人
承建方联系人
6 位联系人
主体承建商
部门： 项目部
职位： 现场经理
备注：土建和宿舍楼的简单装修
部门： 项目部
职位： 项目经理
部门： 项目部
职位： 现场技术负责人
部门： 项目部
职位： 现场质量负责人
职位： 现场施工经理
备注：现场管理
职位： 现场生产经理
备注：分管现场施工
分包方联系人
5 位联系人