此项目总用地面积:----,总建筑面积----,建设内容:11层高的研发大楼;4至5层高的制造主楼、副楼(含厂房);地下1层地下室及停车场,提供机动车泊车位100泊;项目建设后主要用于4英寸半导体芯片实验、中试线(可兼容6-8英寸)投产年第一年产量在2千片左右;产品名称:宽禁带功率半导体晶圆:二极管、mos、igbt;系统集成封装模块电源;主要设备:单晶炉、mocv光刻机、pvxrsem、霍尔测试仪、固晶机、焊线机、塑封机、探针台及测试包装设备
工程备注: 备注:截止(2024年08月09日)该项目主体完成约60%,消防机电同总包,整体计划2025年6月竣工;