年产36万片碳化硅衬底项目,分三期建设:一期计划投资约3亿元,主要利用洹河纳米光电科技产业园现有厂房进行改造,建设洁净室、生产加工厂房、动力厂房,购置安装100套长晶炉、2组切磨抛检测包装设备,一期达产后可实现年产6万片半导体碳化硅(sic)衬底;二期计划投资约7亿元,累计安装完成300套长晶炉、6组切磨抛检测包装设备;二期达产后可实现年产18万片半导体碳化硅(sic)衬底;三期计划投资约10亿元,累计安装完成600套长晶炉、12组切磨抛检测包装设备.三期达产后可实现年产36万片半导体碳化硅(sic)衬底;项目主要原材料为碳化硅粉末;sic晶体生长采用pvt法;生产工序为:碳化硅粉末--单晶体生长--碳化硅晶锭--晶片切片、打磨、抛光、检测、清洗--碳化硅衬底;主要设备为:长晶炉、切磨抛设备、检测设备、清洗设备等
工程备注: 1、手续办理情况:该项目前期手续已完成.2、设计完成情况:该项目正在进行施工设计图纸.3、土建施工情况:该项目主体工程尚未施工,施工单位尚未确定.4、设备采购情况:该项目设备尚未采购,设备采购时间及采购主体尚未确定.