第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目(北京天科合达半导体股份有限公司) 大型
项目地址： 
定位
定位 项目概况
更新时间： 2026-07-29（发布：2023-09-28）
项目阶段： 2026-07-29处于主体施工开工
建设周期： 2024年4季度 - 2027年4季度
项目类型：住宅、工业
面积：
投资金额： 199234万
建设性质： 新建
甲方类型： 政府部门、国企、事业单位
项目描述
1. 建设规模：项目总占地面积52790----米，总建筑面积105100----米。
2. 投资金额：项目总投资199234万元。
3. 生产内容：主要生产碳化硅芯片类产品。
项目工期及阶段
工程备注： 截止(2026年07月29日)，因该项目地下室结构复杂，当前仍处于地下室施工阶段
项目动态 8
2026-07-29
新增人员:
2026-07-20
新增人员:
2025-09-02
阶段更新:
甲方单位联系人
5 位联系人
业主
部门： 项目部
备注：参与工程
部门： 项目部
备注：参与工程
部门： 项目部
备注：对接设计院
部门： 公司/单位高层领导
职位： 监事
备注：高管
部门： 环保部/安环部
备注：负责安环
设计院联系人
5 位联系人
施工图设计
部门： 设计部
职位： 建筑设计师
部门： 设计部
职位： 结构设计师
部门： 设计部
职位： 给排水设计师
部门： 设计部
职位： 电气设计师
部门： 设计部
职位： 暖通设计师
承建方联系人
3 位联系人
分包方联系人
0 位联系人
暂无分包方联系人信息