半导体建设碳化硅衬底项目(杭州乾晶半导体有限公司)
大型

项目地址：

定位

项目概况

更新时间： 2024-06-26（发布：2023-12-20）

项目阶段： 2024-06-26处于主体工程过半

建设周期： 2024年2季度 - 2024年4季度

项目类型：工业

面积：

投资金额： 30000万

建设性质：新建

甲方类型：私营企业

项目描述

年产60万片碳化硅6-8英寸衬底供给能力

项目工期及阶段

工程备注： 2024-6-17跟踪记录:1、手续办理情况:该项目前期手续已办理.2、设计完成情况:该项目设计已完成,由上海电子工程设计研究院有限公司负责.3、土建施工情况:该项目主体工程正在施工,由中国电子系统工程第二建设有限公司负责.4、设备采购情况:该项目设备尚未了解采购情况,设备采购时间及采购主体尚未确定.5、项目变化情况:该项目阶段未发生变化,增加了设计单位的联系人及联系方式.