存储晶圆级先进封测制造项目(深圳佰维存储科技股份有限公司)

大型优质

此项目总投资金额为12亿元 建设内容包括:新建厂房及配套设施 用于:前道晶圆制造与后道封装测试之间的半导体制造中道工序,采用光刻、刻蚀、电镀、pvcvcmp、strip 等前段晶圆制造工序,以实现凸块(bumping)、重布线(rdl)、扇入(fan-in)、扇出(fan-out)、硅通孔(tsv)等工艺技术,不仅可以将芯片直接封装在晶圆上,节省物理空间,还能够将多个芯片集成在同一个晶圆上,实现更高的集成度