新建研发中心1栋2层,搭建技术实验室和研发平台,在5/6英寸功率半导体芯片基础上开展全系研发瞬态抑制功率芯片,建筑面积约----.围绕产品研发、实验、测试、量产等配备硅片清洗机12台、硅片分选机1台、硅片涂源机2台、全自动扩散炉6台、自动涂胶机4台、全自动光刻机3台、沟槽蚀刻机3台、电泳机2台、全自动探针测试台10台、激光划片机10台、芯片分选机8台、数码影像测试仪5台、高温返偏测试台2台、深度显微镜2台、激光打标机2台、玻璃钝化炉3台、电参测试仪16台、硅片减薄机1台等设备;总投资4000万元
工程备注: 截止2024年5月17日,该项目暂未招标.