此项目由制局半导体(江苏)有限公司投资建设,拟在华罗庚高新区新建公司总部,规划工业用地159亩,新建总建筑面积约12.5万㎡高标准半导体工厂及附属配套设施.项目一期用地59亩,总投资15亿元,建设hi-sip模组研发中心、工程技术中心及半导体先进封测基地,以满足汽车电子、通讯电子、a医疗、航空航天领域先进封测和器件模组需求,计划于2024年开工建设,2026年上半年建成投产.项目二期用地100亩,总投资35亿元,建设高频微波、功率、宽禁带化合物半导体器件及模组制造基地,计划于2028年开工建设,2029年建成投产.项目达产后可实现年产值50亿元
工程备注: 该项目刚刚签约,还未拿地,计划10月份开工,计划工期18个月