建筑面积:65985.98----米,用地面积:45680.817----米,其他:项目计划总投资50亿元,宗地面积45680.817----米,总建筑面积65985.98----米,计划新建化合物半导体厂房(三层)1栋、占地面积17962.8----米、建筑面积56206.54----米,配套废水处理站、氨气站、仓库、资源回收站、水池及泵房、门卫等辅助用房。将建设一条4/6吋兼容的化合物半导体生产线,主要产品为GaN外延的蓝绿光LED芯片、GaAs外延的红光LED芯片、GaAs外延的激光器件芯片、InP光通讯器件芯片等。项目一阶段投资20亿元,建成达产后预计年产672万片(等效2吋),形成销售收入约13亿元;二阶段投资30亿元,达产后一二阶段将实现年销售收入34亿元。
工程备注: 截止目前2024年4月3日,该项目处于立项阶段,预计2018年3季度开工