高压SiC MOSFET工艺平台建设项目(西安卫光科技有限公司)

项目地址: 定位

项目概况

更新时间: 2023-11-30(发布:2023-11-30)
项目阶段: 2023-11-30处于立项审批

建设周期: --

项目类型:市政公用设施
面积:
投资金额: 9200万
建设性质: 改扩建
甲方类型: --
项目描述
项目拟购置设备8台/套, 包含中束流高温离子注入机、 高温氧化炉、 高温退火炉等设备, 用于SiC芯片生产。 拟升级改造设备3台/套, 包Conceptone、 LAM9600等设备, 用于SiC产品自动精确对位和顺利传输需要。 拟开发重点工艺16项, 包含热氧生长、 PETEOS掩膜淀积等, 用于SiC芯片研制。建成后月产量可达500片。
项目工期及阶段
工程备注: 截止目前2023年11月30日,该项目处于立项阶段,预计2023年4季度开工

项目动态 0

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