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高压SiC MOSFET工艺平台建设项目(西安卫光科技有限公司)
高压SiC MOSFET工艺平台建设项目(西安卫光科技有限公司)
项目地址:
定位
项目概况
更新时间:
2023-11-30(发布:2023-11-30)
项目阶段:
2023-11-30处于
立项审批
建设周期:
--
项目类型:
市政公用设施
面积:
投资金额:
9200万
建设性质:
改扩建
甲方类型:
--
项目描述
项目拟购置设备8台/套, 包含中束流高温离子注入机、 高温氧化炉、 高温退火炉等设备, 用于SiC芯片生产。 拟升级改造设备3台/套, 包Conceptone、 LAM9600等设备, 用于SiC产品自动精确对位和顺利传输需要。 拟开发重点工艺16项, 包含热氧生长、 PETEOS掩膜淀积等, 用于SiC芯片研制。建成后月产量可达500片。
项目工期及阶段
工程备注:
截止目前2023年11月30日,该项目处于立项阶段,预计2023年4季度开工
项目动态
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业主
单位:
西安卫光科技有限公司
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