SiC功率器件生产线建设项目(厦门士兰明镓化合物半导体有限公司)

大型

项目位于福建省厦门市海沧区兰英路99号，建筑面积65985.98----米，用地面积45680.817----米， 本项目在厦门士兰明镓现有芯片生产线厂房内及配套设施的基础上，引进具有国际先进水平的光刻机、刻蚀机、高温氧化炉等设备以及配套SiC厂房装修和动力设备扩容等，形成年产14.4万片SiC功率器件芯片的生产能力；主要产品类别为：SiC MOS ,SiC SBD芯片， 采用SiC深槽刻蚀、高温氧化/退火/注入、多层栅介质工艺、SiC金属欧姆接触形成等工艺技术，以及SiC MOSFET工艺集成制造技术等，达产后预计实现年不含税销售收入209,742万元