建筑面积:2800.0----米,用地面积:2800.0----米, 其他:1. 场地情况 : 入驻海沧半导体产业基地5号厂房1层2. 内容及用途 :本研发中心建设项目将在整合公司现有研发资源基础之上,通过建设研发实验室,购置先进研发、实验和检测设备,并引进专业技术人才,进而增强公司整体研发实力和自主创新能力,确保公司研发实力的行业领先地位。在充分整合公司现有研发优势资源的基础之上,研发中心将围绕下一代红外芯片及智能红外小型传感系统、高端MEMS生物芯片、5G通信芯片和高端光学MEMS芯片等研发方向,紧跟业内发展新趋势,把握红外传感器技术新动向,同时积极加强与国内外行业相关科研机构的技术合作与交流,引进、消化、吸收行业先进技术成果,最终将研发中心打造成为公司的新产品研发基地、技术成果应用基地以及先进技术人才培养基地。3. 项目资金:企业自筹
工程备注: 截止目前2023年9月19日,该项目处于立项阶段,预计2021年3季度开工