8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目(厦门士兰集宏半导体有限公司)

大型

项目位于H2024G03-G, 建筑面积234577----米, 用地面积136300----米, 本项目总投资70亿元，计划建设一幢8英寸SiC功率器件芯片生产线厂房及配套生产和生活设施，建筑工程包括SiC功率器件芯片生产线厂房（含生产辅助区）、FA厂房、动力站、甲/乙/丙类化学品库、废水站、资源回收站等生产及配套设施，以及员工宿舍、综合服务中心等生活配套设施。主要产品为：第Ⅲ代SiC功率器件芯片, 本项目产品为第Ⅲ代技术的SiC功率器件芯片，导通电阻为10.5毫欧（1,200V产品），主要有平面栅和沟槽栅两种结构，平面栅结构的SiC芯片工艺稳定，各种性能指标已经达到国际先进水平，市场需求迫切, 2029年达产后形成年产42.0万片(3.5万片/月)8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。