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射频器件研产基地三期项目(武汉衍熙微器件有限公司)
射频器件研产基地三期项目(武汉衍熙微器件有限公司)
大型
项目地址:
定位
项目概况
更新时间:
2023-03-08(发布:2023-03-08)
项目阶段:
2023-03-08处于
立项审批
建设周期:
--
项目类型:
其他公共建筑
面积:
投资金额:
20000万
建设性质:
改扩建
甲方类型:
--
项目描述
在现有租赁厂房建设1747----米车间,购置安装清洗机、测试设备、蚀刻设备、薄膜设备等设备35台,建设射频器件生产线,项目建成后每月新增2000片晶片生产产能。
项目工期及阶段
工程备注:
截止目前2023年3月8日,该项目处于立项阶段,预计2023年3季度开工
项目动态
0
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甲方单位联系人
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位联系人
业主
单位:
武汉衍熙微器件有限公司
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分包方联系人
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