此项目占地面积----,总建筑面积----,主要建设:新建地上4层地下1层高的5#后勤服务楼、新建16层高的7#倒班楼、新建13层高的2#厂房;项目设太赫兹光学实验室、电学研发实验室、生物化学实验室、光子芯片微纳实验区、光电融合微系统实验室、芯片测试与系统验证实验室、焊接及系统组装等实验室;内设精密电镀机、光刻机、清洗机、离子束刻蚀机、锡膏喷印机等研发实验设备,以硅晶圆(6英寸)、iiiv族化合物半导体材料(4英寸的磷化铟、砷化镓)、三氟甲烷、乙醇、丙酮等为主要研发实验材料本项目将作为研发平台和相关机构联合开展研发,不涉及生产.主要从事集成微系统、光子异质集成芯片、太赫兹光学、材料制备、雷达探测与成像科研实验;
工程备注: (截止2025-11-05)该项目主体已过半,消防及机电分包已进场,目前在预埋阶段,整体计划2026年8月竣工;