自旋电子器件与技术工艺平台性能提升项目(浙江省杭州市)
大型

项目地址：

定位

项目概况

更新时间： 2024-09-09（发布：2024-09-09）

项目阶段： 2024-09-09处于主体施工单位中标

建设周期： 2024年3季度 - 2025年3季度

项目类型：教育及研究设施

面积：

投资金额： 104000万

建设性质：改扩建

甲方类型：私营企业

项目描述

总占地面积50亩:依托自旋芯片与技术全国重点实验室,通过承担核高基01重大专项、科技创新2030等多个国家科技重大项目,联合清华大学、中国科学院等高校院所协同攻关,在建成国内唯一、国际一流的12英寸自旋存储芯片中试平台基础上,研发国内领先、国际先进的独立式大容量自旋存储芯片和匹配28nm工艺节点的嵌入式ip,填补国内28nm自旋存储量产技术的空白;采购磁存储薄膜沉积、磁性多层膜刻蚀等关键设备,提升中试平台设备能力和利用率,建设完善国际一流、开放共享的自旋电子器件和芯片验证平台,支撑解决我国自旋存储芯片"卡脖子"问题,抢占自旋芯片技术制高点和产业主导权,支撑解决量子信息领域存储性能瓶颈,推动形成我国量子科技发展的体系化能力

项目工期及阶段

工程备注： 1、手续办理情况：该技改项目立项手续已完成。2、设计完成情况：该技改项目无需设计。3、土建施工情况：该技改项目无需施工。4、设备采购情况：该技改项目设备尚未采购。