士兰集科公司拟在现有12英寸厂房内增加设备投资52541万元,在现有芯片生产线及配套设施的基础上,通过购置干法刻蚀机、化学气相沉积设备、退火炉、炉管、溅射台等生产设备进行产能扩充,投资建设“12英寸90~150nm深槽隔离车规级BCD制造工艺研发和产业化项目”,新增规模为年产9.6万片12英寸BCD工艺车规级芯片(其中含砷外延工序产能2.4万片/年),并依托现有化镀设备对增加的芯片进行化镀镍、钯、金,增加含钯废液回收钯工序,取消现有工程原环评EPI(含砷)工序(实际未建设,后续取消)。该项目建成后,士兰集科公司总产能为:年产102万片12英寸半导体芯片。本项目不新增员工,实行连续运转工作制,全年工作355天,每天工作24小时,设备年时基数7670小时,建设工期:4个月(2026年4月~2026年8月)。
工程备注: 截止目前2024年9月25日,该项目处于立项阶段,预计2024年3季度开工