氮化镓衬底、外延与器件产业化项目(东莞市中镓半导体科技有限公司)

大型

项目占地面积17774----米，建筑面积41110----米，包括衬底生产厂房建筑面积2247----米，器件厂房建筑面积18634.7----米。主要内容为氮化镓衬底、外延与器件生产线；预计年生产4-6英寸氮化镓衬底20240片，6英寸硅上氮化镓功率分立器件及功率IC36000片。