珠海高新区华芯半导体项目(珠海格创投资控股有限公司)

珠海高新区华芯半导体项目（基础基坑工程）：本项目总用地面积39534.77----米，项目总建筑面积约为7.10万----米，计容面积8.29万----米。 用于建设珠海六英寸化合物半导体晶圆生产厂房及配套，建成后生产HBT、pHEMT、GaN及VCSEL等产品。