第三代氮化镓功率半导体生产建设项目(江门市冠鼎半导体有限公司)

大型

项目总占地约2630----米，建筑面积约2630----米，将原物料氮化镓芯片利用固晶机透过银胶将其与引线框架进行结合，利用焊线机将金线和在适当位置后利用排片机将引线框架依序排列后利用模压机进行封合、产品裁切、表面进行激光印字，年产量15KK。