原厂扩产项目(第二期)(广东天域半导体股份有限公司)

大型

总规划用地面积3,086----米，建筑面积16,464----米，用于生产30万片/年的SiC外延晶片使用，产能分期建设。本期为第二期，本期使用建筑面积5488----米，建设年产能约10万片的6英寸SiC外延晶片生产线，并完成动力系统等配套设施安装。