氮化镓、碳化硅半导体器件及模块的封装测试技术平台建设(西安电子科技大学广州研究院)

项目地址：

定位

项目概况

更新时间： 2024-06-25（发布：2024-06-25）

项目阶段： 2024-06-25处于立项审批

建设周期： 2024年2季度 - 2024年4季度

项目类型：市政公用设施

面积：

投资金额： 5000万

建设性质：新建

甲方类型： --

项目描述

平台建设规模:两千----米主要内容:氮化镓和碳化硅半导体器件和模块的封装技术平台建设产品名称:氮化镓和碳化硅半导体器件和模块的封装技术设计生产能力:平台专注于氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的大功率模块封装技术，主要解决功率模块的封装结构、封装互连材料、模块寄生和散热管理四大技术难题。实验室每年最高可进行超过2000次的封装工艺测试和验证。主要设备选型及技术标准:GaN MOSFET和SiC MOSFET

项目工期及阶段

工程备注：截止目前2024年6月25日，该项目处于立项阶段，预计2024年2季度开工