柯城光电(半导体)科技产业创新孵化基地项目(二期)(衢州市振东产业园运营管理有限公司)

大型

本项目内容为柯城光电（半导体）科技产业创新孵化基地项目（二期），建设规模：项目总用地面积约116215----米，总建筑面积约298115.66----米，其中地上建筑面积约289063.26----米，地下建筑面积约9052.4----米（其中预留地下储能空间3750----米，地下停车库5302.4----米），配套建设园区道路、绿化、供配电、给排水、燃气、消防设施及等附属设施，工程概算77453万元，其中建安工程造价67147.4700万元。