英络德逆变焊接电源研发制造及生产厂房建设项目(广东英络德智能科技有限公司)

项目占地面积1815.56----米，建筑面积1815.56----米，购置高盛西湖智谷产业园A1栋1401、1402室，采用钣金外壳、半导体（可控硅整流管、IGBT）、电解电容、T2紫铜排、直流风扇、电源变压器、功率电阻、散热器等技术及工艺流程，安装3条生产线，从事年产量约3000台，达产后年产值约2000万元，年缴税约54万元。