建筑面积----.项目购置电子显微镜设备、方块电阻仪、膜厚仪等研发测试设备30余台套;本项目用途主要为半导体前道工艺设备(12寸)的研发、制造、销售,主要工艺类型为刻蚀工艺和薄膜沉积工艺,解决国产半导体设备中试及产业化等卡脖子难题,具有加速半导体"国产替代"的示范带动作用.项目达产后可年产120台套
工程备注: 1、手续办理情况:该项目前期手续已办理。2、设计完成情况:该项目设计已完成,由信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司负责。3、土建施工情况:该项目主体工程尚未施工,施工单位已确定,后期由信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司负责。4、设备采购情况:该项目设备尚未采购,设备采购时间及采购主体尚未确定。