超高密度互联三维多芯片集成封装项目(盛合晶微半导体(江阴)有限公司)

大型

采用大视场光刻技术实现了0.8um/0.8um线宽线距技术水平,加工的硅穿孔转接板产品达到3倍光罩尺寸,标志着盛合晶微在先进封装技术领域进入亚微米时代,也意味着其有能力以亚微米线宽互联技术,在更大尺寸范围内更有效地提升芯片互联密度,从而提高芯片产品的总算力水平.工艺流程:tsv检验-晶圆检验-晶圆清洗-晶圆减薄-晶圆切割-chiplet芯片分检-c2w键合-重组晶圆检验-链式回流(芯片焊接)-晶圆级c2w清洗-晶圆级底部填充-注塑-临时晶圆键合-晶圆级上表面减薄-cmp-晶圆刻蚀-晶圆清洗-介质层涂覆-外协布线工艺-检验-晶圆单面清洗-bumping-真空回流(凸点回流成型)