年产10万片高功率MPCVD晶圆级半导体金刚石项目(焦作山阳产投经营管理集团有限公司)

大型优质

此项目为新建厂房工程.用地面积----,总建筑面积----.总投规模为300台大腔体徽波等离子气相沉积(mpcvd)设备及晶圆级基片加工生产线.在金刚石制膜工艺方面,以每小时沉积3-10微米的速度做出真径4英寸、厚度0.2-1.8mm的晶圆级薄膜;以每小时沉积50微米的速度做出3~5mm×3~5mmx1~2mm的单晶金刚石片用于超精密机械加工;以每小时沉积10-20微米的速度同质外延生长出6-50克拉宝石级大单晶金刚石颗粒.在超宽禁带半导体材料方面,利用cvd技术开发直径2-3英寸电子器件级大面积金刚石单晶,形成大面积单晶金刚石衬底.在单晶硅上实现异质外延生长4英寸晶圆级多晶金刚石.采用微波等离子气相沉积法生产毛坯、新型激光和cmp后期加工成晶圆级基片.主要设备:新型大腔体高功率mpcv红绿激光设备和cmp设备.总投资:12亿元