此项目计划占地面积----:主要建设sic半导体衬底生产线及配套相关厂房设施等;此项目一期工程预计建成后将具备年产40万片第三代半导体衬底外延的生产能力.工艺流程:混料-氨气烘烤-粉碎-水洗除磁-烘干-粉体整形-流延-切片-烧结-切制-检测-包装
工程备注: 2025-02-11跟踪记录:1、手续办理情况:该项目前期手续完成情况尚未了解。2、设计完成情况:该项目设计已完成,由政府代建。3、土建施工情况:该项目正在进行施工,由政府代建。4、设备采购情况:该项目设备尚未了解采购情况,采购时间及采购主体尚未了解清楚。5、项目变化情况:该项目阶段发生变化,增加了业主方的联系人及联系方式。