改扩建项目(珠海市威兆半导体有限公司)

本改扩建项目未新增用地，沿用原厂区用地，占地面积为9490----米，建筑面积为33670.43----米。本次改扩建项目新增工艺电化学沉积替代部分背面金属化工艺，用于生产WLCSP封测产品，产品进行的是芯片的最后封装过程，外购已刻录电路的晶圆进行封装，并没有生产晶圆，改扩建后生产WLCSP封测52.8万片/年，DFN封测24万片/年。设有一间实验室，主要对MOSFET芯片、IGBT芯片、SiCMOS芯片进行物理、环境、老化、化学实验。改扩建后新增一套全自动水平晶圆金属膜沉积设备GMC-300用于电化学沉积。