江山经济开发区硅碳负极材料CVD气相沉积工艺一、二期产能建设项目(浙江省衢州市)

大型

项目选址于江山经济开发区两新产业园，新供地108亩，通过两次征地方式分两期实施。 一期工程：总投资29508万元，占地41亩。主要建设内容包括标准生产厂房、原料及成品仓库、其他附属生产设施。工艺流程方面，购置包覆炉、混合机、直排筛、超声波振动装置、电磁除铁器、包装机，配套气路及产线连接装置，采用成熟稳定的CVD气相沉积工艺，形成年产2000吨硅基负极材料的生产能力。 二期工程：总投资46986万元，占地67亩。主要建设内容同样为标准生产厂房、原料及成品仓库、其他附属生产设施。工艺流程上，购置设备与一期相同，采用成熟稳定的CVD气相沉积工艺，形成年产3000吨硅基负极材料的生产能力。