中微公司华南总部及半导体、泛半导体设备研发生产基地一期(中微半导体设备(广州)有限公司)

大型优质

项目占地面积----,规划建筑面积----,容积率约2.57.主要内容:规划主体建筑为一整栋建筑(长150米、宽80米、高34米,含制造厂房、零件仓库、研发洁净室)一栋办公楼(长20米,宽80米,高34.5米)并配套动力站一座(长44米、宽22米、高34.5米,含部分仓库)及大宗气站场地一块(长30米、宽20米)产品名称:gen8.5代平板显示pecvd工艺设备(pecvd产品,刻蚀产品)设计生产能力:年产1215台整机设备