年产6000万套高性能存储器项目(得一微电子股份有限公司)
大型优质

项目地址：

定位

项目概况

更新时间： 2025-08-04（发布：2025-07-03）

项目阶段： 2025-08-04处于项目立项已完成

建设周期： 2026年4季度 - 2028年4季度

项目类型：工业、教育及研究设施

面积：

投资金额： 150000万

建设性质：新建

甲方类型：私营企业

项目描述

此项目计划投资建设全球总部基地,总投资约15亿元,固投10亿元,利用55亩工业用地建设"一基地两中心"高性能存储器制造测试基地、存算互联技术研发中心与国产化先进存储示范中心,形成集研发、生产、测试、销售和展示等功能于一体的数据存储产业综合体.年营收将突破50亿元,年产高性能存储器产品将达到6000万套.项目落地后预计7年内累计销售收入170亿元,税收4亿元;累计引进高端半导体人才400人

项目工期及阶段

工程备注：截止目前(2025年08月04日),该项目施工单位未定