艾为电子全球研发中心及高性能数模混合信号等芯片研发实验室建设项目(上海艾为集成电路技术有限公司)

项目地址：

定位

项目概况

更新时间： 2026-07-06（发布：2025-08-14）

项目阶段： 2026-07-06处于主体施工开工

建设周期： 2025年4季度 - 2029年4季度

项目类型：教育及研究设施

面积：

投资金额： 148500万

建设性质：新建

甲方类型：私营企业

项目描述

本项目在闵行区莘庄镇购置36.6亩土地,建造艾为电子全球研发中心.为进一步提高公司研发效率,推动公司研发成果转换,本项目将重点建设专业化研发实验室,其中包括可靠性实验室与通用实验室(触觉反馈实验室、光学防抖实验室、音频静音室、调音室和射频屏蔽室)用以支撑公司高性能数模混合信号芯片、电源管理芯片、信号链芯片三大核心产品线,满足公司未来新兴产品的研发需求,为人工智能、物联网、汽车、工业等应用领域的芯片研发提供技术支撑能力

项目工期及阶段

工程备注：截止(2026年7月06日)，该项目处于主体施工阶段