深中慧谷一期二标段功率半导体分立器件封装测试产业基地项目(中山市慧谷总部投资开发有限公司)

大型

项目（一期二标段）占地面积20716.82----米，建筑面积18819.17----米，建设2栋厂房，包括生产厂房、研发测试中心、动力厂房、研发办公楼等。建成后形成年产6亿颗功率半导体分立器件的封装测试、模组制造等生产能力。