浙江大学杭州国际科创中心一期CMOS二期(杭州萧山国际科创中心开发有限公司)

大型

浙江大学杭州国际科创中心项目一期，用地面积约408亩。建筑面积约51万----米，其中：地上建筑面积约39.8万----米，地下建筑面积约11.2万----米。一期项目先后分成六个阶段施工，一至五阶段，建筑面积342996.23----米，六阶段建筑面积159435.94万----米。其中CMOS二期在六阶段工程内，建筑面积为26706.28----米。总装机容量为30000KVA，于本项目20KV变电站内新建2台15000KVA变压器，下设配电房若干。