高品质砷化镓晶片项目(湖北鑫耀半导体有限公司)

大型

拟新建14674平米厂房（生产厂房（丙类）12384平米、原辅料库（戊类）460平米、研发中心1050平米、大宗气站（氢气、氧气、氮气）480平米、化学品库（甲类）300 平米，单层建筑，层高6.0米）。