建设规模及内容:项目用地3.5万㎡,总建筑面积10万㎡,建设3栋标准化厂房,分两期建设.一期建设2栋标准化厂房,建成20条生产线,每条生产线配备100台大腔体微波等离子气相沉积(mpcvd)设备、1台超级裂片激光机、1套清洗系统和50台制氢机.产品为半导体芯片基板,单台设备线每月可生产7mm×7mm×0.25mm晶圆级基片1200片,单条产线年产120万片,一期年产2400万片半导体芯片基板;二期建设1栋标准化厂房,建成10条生产线,主要设备包括新型大腔体高功率mpcvd设备、红绿激光设备和cmp设备,年产4800万片半导体芯片基板
工程备注: 截止目前(2025年12月02日),施工图设计单位及施工单位尚未确定;