新增离子注入机项目(武汉新芯集成电路股份有限公司)

大型

一、建设内容：在FAB 12a离子注入区新增离子注入机5台 , 在FAB 12b离子注入区新增离子注入机4台；二、建设规模：在FAB 12a离子注入区 使用CIP900型离子注入机2台（着靶束流2.5mA,束能量900KeV）, 使用iStellar-500型离子注入机2台（着靶束流20mA,束能量60KeV），使用Trident XP型离子注入机1台（着靶束流20mA,束能量60KeV）； 在FAB 12b离子注入区 使用Trident XP型离子注入机1台（着靶束流20mA,束能量60KeV） ，使用Purion VXE型离子注入机1台（着靶束流1.2mA,束能量8000KeV），使用VIISta 900 XPT型离子注入机1台（着靶束流5mA,束能量900KeV），使用CIP900型离子注入机1台（着靶束流2.5mA,束能量900KeV）。