建设内容:京东方硅基微显示项目放射装置建设工程,建设位置为北京京东方光电科技有限公司FAB主楼建设规模:新增1台X-ray(X荧光光谱分析仪)设备,放置于本项目品质实验室,设备自屏蔽,占地面积1m2;本项目产线蒸镀区域新增两台X-射线静电消除器,一台为Sunje SXN-05U离子棒(参数:额定电压:4.9kV,额定电流:400μA),另一台为Sunje SXH-10T离子棒(参数:额定电压:11kV),设备自屏蔽,占地面积21m2;本次产线前段检测区域新增一台FIB检测设备,检测过程中会产生射线危害,设备自带屏蔽,占地面积4m2。
工程备注: 截止目前2025年12月25日,该项目处于立项阶段