车规级IGBT、MOS、SiC封测项目(安徽安芯电子科技股份有限公司) 大型
项目地址： 
定位
定位 项目概况
更新时间： 2025-11-14（发布：2025-03-05）
项目阶段： 2025-11-14处于主体施工开工
建设周期： 2025年2季度 - 2026年3季度
项目类型：工业
面积：
投资金额： 120000万
建设性质： 新建
甲方类型： 私营企业
项目描述
车规级IGBT、MOS、SiC封测项目：
1. 建设内容：首要建设内容为年产60万片车规级6英寸TVS、FRD芯片的设计与制造，同时配套开展IGBT模块的封装测试。
2. 预期效益：项目达产达效后，预计新增年销售收入70000万元。
项目工期及阶段
工程备注： 截止(2025年11月14日)，该项目处于主体施工阶段
项目动态 3
2025-11-14
阶段更新:
2025-11-14
新增人员:
2025-04-07
阶段更新:
甲方单位联系人
2 位联系人
设计院联系人
0 位联系人
暂无设计院联系人信息
承建方联系人
0 位联系人
暂无承建方联系人信息
分包方联系人
0 位联系人
暂无分包方联系人信息