年产5000片超宽禁带氮化铝单晶衬底项目(晶曜盛巳(宁波)半导体有限公司)

项目租赁宁波标准化工业厂房实施，建设周期2026年2月至2027年7月。核心建设内容包括：生产系统设置原料高纯处理区、籽晶粘结区、物理气相传输(PVT)晶体生长区、线切割/粗加工区、精密磨地光区、清洗区、位错/缺陷检测及品质控制区，配套10万级以上洁净生产车间、设备安装区、仓储区、动力气体供应系统、环保与安全设施，购置国产化PVT晶体生长炉等关键生产设备，形成年产5000片超宽禁带氮化铝单晶衬底的生产能力。